準費米能級分裂（Quasi-Fermi Level Splitting，QFLS）是太陽能研究中一個重要的物理參數，廣泛應用于半導體材料與光電器件的性能評估。QFLS描述了在非平衡態下，電子與空穴的準費米能級之間的能量差，并與光伏器件的開路電壓（Open-Circuit Voltage，VOC）以及光電轉換效率（Power Conversion Efficiency，PCE）密切相關。本文旨在全面探討QFLS的基本概念和定義、背景與重要性、測量方法、計算公式及其在光伏器件中的應用，并分析其未來發展方向。
準費米能級分裂QFLS是固態物理學和半導體器件研究中的一個重要概念，用于描述非平衡態下電子和空穴的能級分布。在平衡態下，半導體的費米能級（Fermi Level，EF）表示電子和空穴的化學勢相等。然而，在光照或外加電壓的作用下，半導體內部會產生光生載流子（電子和空穴），導致電子和空穴的分布不再遵循平衡態的費米-狄拉克分布，從而形成兩個獨立的準費米能級，分別為電子的準費米能級（EF,e）和空穴的準費米能級（EF,h）。這種分裂現象的形成主要受到以下因素的影響：
●光生載流子的產生：當半導體材料受到光照時，光子能量大于材料的禁帶寬度（Bandgap）時，會激發電子從價帶躍遷到導帶，形成電子-空穴對。這些光生載流子的濃度增加，導致電子和空穴的化學勢發生改變。
●載流子的復合：光生載流子在材料內部會經歷輻射復合（Radiative Recombination）和非輻射復合（Non-Radiative Recombination）。這些復合過程會影響準費米能級的分布，特別是非輻射復合會降低準費米能級分裂的幅度。
●外加電壓的影響：在光伏器件中，外加電壓會改變載流子的分布，進一步影響準費米能級的分裂。例如，在太陽能電池的開路條件下，載流子濃度達到最大，準費米能級分裂也達到最大值。
●電子準費米能級（EF,e）電子準費米能級（EF,e）是描述非平衡態下導帶中電子分布的能級。當半導體材料受到光照或外加電壓時，光生載流子（電子和空穴）會被激發，導致電子的分布偏離平衡態。此時，電子的能量分布不再由單一的費米-狄拉克分布描述，而是由電子準費米能級（EF,e）來表征。數學上，電子的分布可以表示為：
fe(E) = 1 / (1 + exp((E - EF,e) / kT))
其中，E為電子的能量，k為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度，EF,e為電子準費米能級。EF,e的大小取決于光生電子的濃度以及材料的導帶態密度（Nc）。電子準費米能級的提升通常意味著光生電子濃度的增加，這對于光伏器件的性能至關重要。例如，在高效鈣鈦礦太陽能電池中，EF,e的提升可以顯著提高開路電壓（VOC）。
●空穴準費米能級（EF,h）空穴準費米能級（EF,h）是描述非平衡態下價帶中空穴分布的能級。與電子準費米能級類似，當半導體材料受到光照或外加電壓時，價帶中的空穴分布也會偏離平衡態，此時由空穴準費米能級（EF,h）來描述。數學上，空穴的分布可以表示為：
fh(E) = 1 - 1 / (1 + exp((E - EF,h) / kT))
其中，E為空穴的能量，EF,h為空穴準費米能級。EF,h的大小取決于光生空穴的濃度以及材料的價帶態密度（Nv）。空穴準費米能級的降低通常意味著光生空穴濃度的增加。對于光伏器件而言，EF,h的變化與界面復合和材料缺陷密切相關。例如，在鈣鈦礦太陽能電池中，通過界面鈍化技術可以有效提升EF,h，從而減少非輻射復合損失。
數學上，QFLS可以表示為：QFLS = EF,e - EF,h
其中，EF,e 和 EF,h 分別是電子和空穴的準費米能級。在光伏器件中，QFLS 是開路電壓Voc的理論上限，并且與光生載流子的產生效率和復合行為密切相關。根據理論，VOC可以表示為：
VOC = QFLS / q
其中，q 是電子的基本電荷。QFLS 的大小取決于材料的內部特性（如缺陷密度和非輻射復合速率）以及外部條件（如光照強度和溫度）。在理想狀態下，QFLS 僅受輻射復合的影響，這被稱為輻射極限（Radiative Limit）。然而，在實際器件中，非輻射復合會降低 QFLS，從而導致開路電壓損失。
QFLS 的概念最早源于20世紀中期的半導體物理學研究。隨著量子力學和固態物理學的發展，科學家提出了準費米能級的概念，用于描述非平衡態下的載流子分布。在早期的研究中，QFLS 被用作分析光生載流子行為的理論工具，并逐漸應用于光電器件的性能評估。
在20世紀末，QFLS 開始被廣泛應用于光伏器件的研究中。研究表明，QFLS 與器件的 VOC 和 PCE 密切相關，并且可以用于量化非輻射復合損失。特別是在薄膜太陽能電池（如 CIGS 和鈣鈦礦太陽能電池）中，QFLS 被用來評估材料內部和界面處的復合行為，從而指導材料和器件的優化。
隨著測量技術的進步，科學家可以更準確地測量 QFLS，并將其與材料的光電性能直接關聯。例如，光致發光量子產率（PLQY）和電致發光量子產率（ELQY）技術的發展，使得 QFLS 的測量精度和應用范圍顯著提升。此外，現代技術還使得 QFLS 的研究從單層材料擴展到多層結構和異質結構，為新型太陽能材料（如鈣鈦礦和有機半導體）的開發拓展應用潛能。
QFLS 是光伏器件中開路電壓 VOC的理論上限，這使其成為評估器件性能的關鍵參數。VOC 是光伏器件在無電流流動時的最大電壓，其大小直接影響光電轉換效率（Power Conversion Efficiency， PCE）。更高的 QFLS 代表著更高的 VOC，進而提升器件的效率。在理想狀態下，VOC 僅受輻射復合的限制。然而，實際器件中的非輻射復合（如缺陷態復合和界面復合）會導致 QFLS 與 VOC之間的差距，這種差距反映了器件內部的能量損失。
Pseudo J-V 曲線提供一種理想化的性能評估工具，幫助研究人員排除串聯電阻等外部因素的影響，專注于器件的內在物理特性。其重要性體現在以下幾個方面：
●效率潛力評估：Pseudo J-V 曲線能準確量化器件的理想填充因子（Pseudo FF）和潛在效率，并與實際 J-V 曲線進行比較，揭示損失機制。
●非輻射復合損失分析：研究人員通過對比QFLS與VOC的差距，能夠精確量化材料中的非輻射復合損失。
●材料與界面改進：這項技術在鈣鈦礦太陽能電池及其他新興太陽能領域已有廣泛應用，研究團隊利用它來優化界面鈍化策略并調整材料結構，大幅提升實際器件的性能表現。
QFLS 是量化非輻射復合損失的重要工具。非輻射復合是光伏器件中能量損失的主要來源之一，會降低光生載流子的壽命和濃度，從而降低VOC 和 PCE。通過測量 QFLS 與 VOC之間的差距，可以識別非輻射復合的主要來源，例如：
●缺陷態復合：由材料內部的缺陷或雜質引起。
●界面復合：發生在活性層與傳輸層之間的界面處。
QFLS的高低直接反映了太陽能材料中光生載流子能被收集的效能。當QFLS值較高時，系統中的能量損耗便相對減少，能提升太陽能電池的整體轉換效率。例如，在鈣鈦礦太陽能電池中，QFLS的提升可以顯著減少非輻射復合損失，從而提高光電轉換效率（PCE）。此外，QFLS還可以用于量化不同材料或結構的非輻射復合損失，從而指導材料改性和界面鈍化技術的應用。
通過測量QFLS，可以評估材料的內在性能和界面處的復合損失。在非器件態下，QFLS的測量可以避免電極或其他器件的影響，直接反映材料的本征性能。例如，光致發光量子效率（PLQY）和電致發光量子效率（ELQY）技術已被廣泛用于QFLS的測量，并為材料的優化提供了重要依據。
輻射極限（Radiative Limit）是光伏器件性能的理論上限，指在僅考慮輻射復合的情況下，QFLS 和 VOC的最大值。在輻射極限下，所有光生載流子都通過輻射復合釋放能量，沒有非輻射復合損失。然而，在實際器件中，非輻射復合是不可避免的，主要包括以下幾種類型：
●缺陷態復合：由于材料內部的缺陷或雜質，電子和空穴會通過缺陷態進行復合，導致能量損失。
●界面復合：在多層結構的光伏器件中，界面處的能帶不連續或缺陷會導致載流子的復合，這是非輻射復合的重要來源。
●俄歇復合：在高載流子濃度下，電子和空穴的能量會通過與另一個載流子的碰撞傳遞，這種過程也會導致非輻射復合。
非輻射復合的存在會降低 QFLS 和 VOC，從而限制光伏器件的性能。因此，減少非輻射復合損失是提升光伏器件效率的關鍵。
Pseudo J-V 曲線是基于 QFLS 數據生成的理想化電流-電壓特性曲線。通過測量不同光強下的 QFLS 值，可以模擬出在無串聯電阻影響下的器件性能。這種方法能幫助研究人員量化非輻射復合損失、界面缺陷以及潛在的填充因子 (FF) 損失，從而評估器件的效率潛力。
由于QFLS無法直接測量，科學家們發展了多種間接測量和計算方法。本章將詳細介紹幾種主要的QFLS測量方法，包括光致發光量子產率（PLQY）測量、電致發光量子產率（ELQY）測量、Pseudo J-V曲線、高能尾部擬合方法、電子漂移-擴散模型以及電子結構計算（第一原理）。
光致發光量子產率（Photoluminescence Quantum Yield， PLQY）是測量QFLS的常用方法之一，其基本原理是通過測量樣品吸收的光子數與發射的光子數之比，來推導光生載流子的輻射復合效率，進而計算QFLS。
1.激發樣品：使用激光或光源照射樣品，激發光生載流子。
2.收集光致發光信號：通過高靈敏度的光譜儀收集樣品的光致發光信號，并測量其光通量密度（Φlum）
3.計算PLQY：根據樣品的吸收率（a）和激發光子通量密度（Φexc），計算PLQY，公式如下：
ηPLQY = Φlum / (Φexc · a)
其中：Φlum為光致發光的光通量密度，Φexc為激發光子通量密度，a為樣品的吸收率。
4.推導QFLS：利用以下公式計算QFLS：
QFLS = kT · ln(ηPLQY)
其中，k為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度，ηPLQY為光致發光量子產率。
●非破壞性測量，適用于多種材料，包括鈣鈦礦、硅和有機半導體。
●可直接量化輻射復合效率，為材料性能評估提供重要依據。
●測量結果可能受樣品表面缺陷和界面復合影響。
●需要高靈敏度的光學設備，并且對測量條件的穩定性要求較高。
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電致發光量子產率（Electroluminescence Quantum Yield， ELQY）是另一種測量QFLS的方法，特別適用于已制備的光電器件。其原理類似于PLQY，但激發載流子的方式是通過外加電壓或電流。
1.施加電壓或電流：對器件施加電壓或電流，激發載流子復合。
2.收集電致發光信號：使用光譜儀測量器件的電致發光信號，并計算ELQY。
3.計算QFLS：使用與PLQY相同的公式計算QFLS。
●適用于實際器件的性能評估。
●可直接反映器件內部的非輻射復合行為。
●測量結果可能受器件結構和界面影響。
●需要穩定的電流源和高靈敏度的光學檢測設備。
1.測量 QFLS 數據：使用光致發光量子產率（PLQY）或電致發光量子產率（ELQY）測量不同光強下的 QFLS 值。這些數據可以通過光譜高能尾擬合或其他算法計算得到。
2.計算復合電流密度 Jrec：根據 QFLS 值，計算復合電流密度，公式如下：
Jrec = J0 · (e(q · QFLS) / (kT) - 1)
其中，J0 是暗飽和電流密度，q 是電子電荷，k 是玻爾茲曼常數，T 是溫度。
3.生成 Pseudo J-V 曲線：將復合電流密度與 QFLS 值作圖，并減去與電壓無關的光生電流(Jgen)密度，即可生成 Pseudo J-V 曲線，提供一種理想化的性能評估工具，幫助研究人員排除串聯電阻等外部因素的影響，專注于器件的內在物理特性。其重要性體現在以下幾個方面：
J = Jgen - Jrec
該曲線反映了理想條件下的器件性能，幫助研究人員了解光伏器件的內部物理機制。
高能尾部擬合方法是一種基于光致發光光譜的技術，用于精確計算QFLS。該方法通過擬合光譜的高能部分，推導出載流子的能量分布。
1.獲取光譜數據：使用光譜儀獲取樣品的光致發光光譜。
2.擬合高能尾部：擬合光譜的高能尾部，計算光子能量與光通量密度的關系。
3.推導QFLS：根據擬合結果，使用以下公式計算QFLS：
QFLS = (q / kT) · ln(Φlum / (Φexc · a))
其中，q為電子電荷，a為樣品的吸收率，T為絕對溫度，Φlum為光致發光的光通量密度，Φexc為激發光子通量密度，a為樣品的吸收率。
●高精度，適用于研究材料內部的能量分布。
●可用于分析非輻射復合損失。
●需要高分辨率的光譜儀。
●擬合結果可能受樣品均勻性影響。
電子漂移-擴散模型是一種理論計算方法，通過模擬載流子的漂移和擴散行為，來估算QFLS。
1.建立數學模型：根據材料的物理參數（如載流子壽命、擴散系數等），建立漂移-擴散模型。
2.模擬載流子行為：模擬光生載流子的產生、復合和傳輸過程。
3.計算QFLS：根據模擬結果，推導出QFLS。
●適用于研究材料內部的載流子動力學。
●可結合實驗數據進行校準。
●需要詳細的材料參數。
●模型的準確性依賴于假設條件。
第一原理計算（如密度泛函理論，DFT）可用于模擬材料的電子結構，從而計算QFLS。
1.模擬電子結構：使用第一原理方法模擬材料的電子結構。
2.計算準費米能級：計算導帶和價帶中的準費米能級位置。
3.推導QFLS：根據模擬結果，計算QFLS。
●適用于研究新材料的理論性能。
●可提供原子尺度的詳細信息。
●計算量大，對計算資源要求高。
●需要高水平的理論知識。
●溫度的影響溫度對QFLS的計算有顯著影響，因為kT直接影響公式中的對數項。測量時需保持樣品在穩定的溫度條件下，并考慮溫度對載流子復合行為的影響。
●非輻射復合的校正非輻射復合會降低PLQY或ELQY，導致QFLS的低估。需要通過校正非輻射復合損失來提高準確性，例如結合漂移-擴散模型進行校正。
●吸收率的準確測定樣品的吸收率直接影響光子通量的計算，需通過實驗或理論模型準確測定。吸收率的誤差可能導致QFLS的計算偏差。
●光譜校準的必要性測量系統需進行絕對光子數校準，以確保光譜數據的準確性。高能尾部擬合方法的先決條件是將整個測量系統校準為絕對光子數。
●測量條件的穩定性確保激光強度和樣品溫度穩定，避免測量誤差。測量條件的不穩定可能導致QFLS計算結果的波動。
●光譜儀的靈敏度使用高靈敏度的光譜儀，特別是在測量高能尾部時。光譜儀的靈敏度不足可能導致高能尾部擬合的精度下降。
●樣品均勻性測量前需檢查樣品的均勻性，避免局部缺陷影響結果。樣品的不均勻性可能導致QFLS的計算偏差。
●非輻射復合的校正結合漂移-擴散模型或其他理論方法，校正非輻射復合對QFLS的影響。非輻射復合的校正是提高QFLS計算準確性的關鍵。
●非器件態表征在鈣鈦礦太陽能電池的早期開發階段，非器件態表征是一種有效的研究方法。這種方法可以直接研究材料的本征性能，避免器件結構對測量結果的影響。例如，德國HySPRINT實驗室利用光致發光量子效率（PLQY）測量技術，對不同制備工藝下的鈣鈦礦薄膜進行了逐層評估，揭示了不同膜層對QFLS的影響。隨著膜層數量的增加，QFLS呈現下降趨勢，這主要是由于膜層間的界面復合損失所致。此外，PLQY mapping技術還可以用于分析鈣鈦礦薄膜的均勻性和缺陷分布。例如，在不同光照強度下進行PLQY mapping測試，可以揭示鈣鈦礦薄膜內部的光電轉換特性和復合行為。
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●QFLS與開路電壓的關系研究表明，鈣鈦礦材料的QFLS通常低于其理論輻射極限，這主要是由于非輻射復合和界面能量損失所致。例如，波茨坦大學的研究發現，鈣鈦礦中的QFLS顯著低于其所有光強下的輻射極限，并且VOC通常低于QFLS，這違反了Shockley-Queisser理論的假設。這種偏移表明，非輻射復合和界面缺陷是限制VOC的主要因素。此外，研究還發現，通過優化鈣鈦礦層與電子傳輸層（ETL）或空穴傳輸層（HTL）之間的界面，可以顯著提升QFLS。例如，通過引入二胺分子修飾鈣鈦礦表面，研究人員成功將QFLS提升了90 meV，從而使1.79 eV的鈣鈦礦太陽能電池達到1.33 V的VOC，并實現了超過19%的功率轉換效率（PCE）。資料來源：Enhanced Quasi-Fermi Level Splitting of Perovskite Solar Cells by Universal Dual-Functional Polymer
●材料優化研究人員通過引入多功能聚合物添加劑來鈍化鈣鈦礦薄膜中的缺陷，顯著提升了QFLS。例如，青島能源研究所的研究顯示，通過引入一種通用的多功能聚合物添加劑，可以同時鈍化陽離子和陰離子缺陷，從而將鈣鈦礦薄膜的QFLS提升至接近Shockley-Queisser極限的95.5%。資料來源：Enhanced Quasi-Fermi Level Splitting of Perovskite Solar Cells by Universal Dual-Functional Polymer另一項研究則通過調整鈣鈦礦層的結構來提升QFLS。例如，通過設計2D/3D鈣鈦礦結構，研究人員成功實現了更高的QFLS和更低的非輻射復合損失。這種結構的量子限域效應有助于提升電子和空穴的分離效率，從而提高整體器件性能。資料來源：Achieving Quasi-Fermi level splitting near its radiative limit in efficient and stable 2D/3D perovskite solar Cells: Detailed balance model
●納米接觸點結構中的QFLS：在納米接觸點結構中，QFLS被用來描述有限偏壓操作下的非平衡態。例如，在分子結構的納米接觸點中，QFLS的分裂與非線性靜電勢降和非對稱電阻偶極分布有高度的關聯。研究表明，通過調整納米接觸點結構的幾何形狀和材料組成，可以顯著影響QFLS。例如，在單分子結構中，QFLS的分裂與載流子的傳輸行為密切相關。這種現象可以用于設計高效的納米光電器件。資料來源：High surface recombination velocity limits Quasi-Fermi level splitting in kesterite absorbers
●表面復合對QFLS的影響：表面復合是影響QFLS的重要因素之一。在Cu2ZnSnSe4吸收層的研究中，研究人員發現，通過化學清洗和退火處理，可以顯著改變表面復合速率，從而提升QFLS。例如，研究人員利用化學清洗成功去除了吸收層表面的反轉層，從而顯著提升了QFLS。然而，當吸收層在空氣中退火后，表面反轉層再次形成，導致QFLS下降。研究還發現，表面處理的效果與退火溫度密切相關。例如，在200°C以上的高溫退火會導致吸收層表面的變化，從而影響QFLS。資料來源：High-quality perovskite films prepared by nucleus epitaxial growth for efficient and stable perovskite solar cells
●損耗來源診斷：QFLS是分析光伏器件內部能量損耗的重要工具。例如，通過比較QFLS與理論輻射極限的差距，可以量化非輻射復合損失。研究表明，界面處的能量損失是限制QFLS的主要因素之一。例如，在鈣鈦礦太陽能電池中，界面缺陷和能帶不匹配會導致顯著的非輻射復合損失。
●隱含開路電壓（iVOC）測量：隱含開路電壓是一種基于QFLS的非接觸式表征方法，用于評估器件的潛在性能。例如，通過光致發光或電致發光量子效率測量，可以計算iVOC，從而揭示器件內部的復合行為。研究表明，iVOC的測量結果與QFLS密切相關。例如，在有機光伏器件中，iVOC的測量可以用于量化非輻射復合損失，并指導器件結構的優化。
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●有機光伏器件中的QFLS：在有機光伏器件中，QFLS被用來量化載流子的復合行為。例如，通過在操作條件下直接測量QFLS，研究人員可以全面表征不同能量損耗的貢獻。研究表明，有機光伏器件的QFLS與其內部的非輻射復合密切相關。例如，通過優化活性層的結構，可以顯著提升QFLS，從而提高器件的光電轉換效率。
●能帶結構分析QFLS被用于研究半導體材料的能帶結構。例如，通過測量光致發光光譜，可以分析光照或偏壓條件下材料能帶結構的變化。研究表明，QFLS的測量研究結果可以用于揭示材料內部的能量分布。例如，在鈣鈦礦材料中，QFLS的變化與其能帶結構的調整密切相關。
●載流子動力學的研究QFLS還被用于研究載流子的動力學行為。例如，通過測量QFLS，可以獲得載流子的壽命和復合速率等關鍵參數。研究表明，QFLS的測量結果可以用于分析載流子的傳輸行為。例如，在有機光伏器件中，QFLS的變化與載流子的傳輸效率密切相關。
●評估光伏器件性能：作為描述光生載流子非平衡態能量分布的核心參數，QFLS直接影響光伏器件的開路電壓（VOC）和光電轉換效率（PCE）。研究表明，QFLS越高，表示材料內部的非輻射復合損耗越低，光伏器件的潛在效率越高。在鈣鈦礦太陽能電池中，QFLS的測量已被廣泛用于評估材料的內部質量和界面性能。例如，通過光致發光量子產率（PLQY）測量，研究人員可以量化材料內部的非輻射復合行為，并進一步推導出QFLS值。這些數據為光伏器件的優化提供了重要依據。此外，QFLS還能幫助識別光伏器件中的能量損耗來源，例如界面缺陷和材料內部的缺陷態復合，從而為提升器件性能提供具體的改進方向。
●表征非輻射復合損耗：非輻射復合是光伏器件性能下降的主要原因之一，而QFLS則是量化非輻射復合損耗的關鍵指標。當QFLS與理論輻射極限之間存在顯著差距時，通常表明材料內部或界面處存在較高的非輻射復合損耗。例如，在鈣鈦礦太陽能電池中，研究發現界面處的非輻射復合是導致QFLS下降的主要因素之一。通過引入功能性界面層或缺陷鈍化技術，可以顯著降低非輻射復合損耗，從而提升QFLS值。此外，QFLS的測量還能揭示不同制備工藝對材料非輻射復合行為的影響，為工藝優化提供了量化依據。
●隱含開路電壓(iVOC)的預測：QFLS與隱含開路電壓（iVOC）之間存在密切的關系。iVOC是一種基于QFLS的非接觸式表征方法，用于預測光伏器件的潛在性能。通過光致發光或電致發光量子效率的測量，研究人員可以計算出iVOC值，從而評估器件的開路電壓潛力。例如，在鈣鈦礦太陽能電池中，iVOC的測量已被用于量化界面處的能量損耗。研究表明，通過提升QFLS值，可以顯著提高iVOC，從而提升器件的開路電壓和整體效率。
●材料優化：在鈣鈦礦太陽能電池中，通過測量不同制備工藝下的QFLS值，研究人員可以比較各種工藝對材料性能的影響，從而選擇最佳的制備條件。QFLS還能幫助研究人員識別材料中的缺陷態和界面損耗。例如，通過引入多功能聚合物添加劑或界面修飾技術，可以顯著提升QFLS值，從而提高材料的光電轉換效率。
●提升測量精度與空間分辨率：隨著光伏技術的快速發展，對QFLS測量精度和空間分辨率的需求也越來越高。未來的研究應致力于開發更高精度更高空間分辨率的測量技術，以便在納米尺度上表征QFLS的分布。例如，超光譜顯微鏡和高分辨率光譜儀的應用，已經顯著提升了QFLS測量的精度和分辨率。這些技術的進步將有助于深入研究異質結構和多層結構中的QFLS分布，從而為光伏器件的設計和優化提供更詳細的信息。
●應用于新型太陽能材料：QFLS的研究將進一步擴展至新型太陽能材料，如寬帶隙鈣鈦礦、量子點和有機半導體等。這些材料的能帶結構和復合機制需要通過QFLS進行深入分析。例如，在量子點太陽能電池中，QFLS的測量可以揭示量子點層的能量分布和復合行為。此外，QFLS還能幫助研究人員理解有機半導體中的載流子動力學，從而提升器件的穩定性和效率。
●與疊層電池結合：在疊層電池中，QFLS可以用于優化頂層和底層電池的能量匹配，從而實現更高的效率。例如，在鈣鈦礦/硅疊層電池中，通過測量各層的QFLS值，研究人員可以調整各層的能帶結構和界面性能，從而提升整體效率。QFLS的測量還能幫助識別疊層電池中的能量損耗來源，為器件的設計和優化提供具體的改進方向。
●界面工程與缺陷鈍化：通過引入功能性界面層或缺陷鈍化技術，可以顯著降低界面處的非輻射復合損耗，從而提升QFLS值。在鈣鈦礦太陽能電池中，研究人員通過引入二維/三維鈣鈦礦結構，顯著提升了界面處的QFLS值，從而提高了器件的開路電壓和效率。
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